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2SD1411A Fiches technique(PDF) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
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3 / 5 page 2SD1411A 2009-12-21 3 Collector-emitter voltage VCE (V) IC – VCE Collector current IC (A) VCE – IC Collector current IC (A) VCE – IC Collector current IC (A) Collector current IC (A) hFE – IC Collector current IC (A) VCE (sat) – IC VCE – IC Common emitter VCE = 1 V 0.1 0.03 0.3 1 3 500 5 10 30 50 10 300 Tc = 100°C 25 100 −55 8 Common emitter Tc = 25°C 0 0 IB = 10 mA 2 4 6 2 4 6 8 10 160 30 40 100 80 60 0 1.2 0 0 0.8 0.6 0.4 0.2 1 2 3 4 5 6 Common emitter Tc = 25°C IB = 30 mA 8 1.0 100 60 500 7 600 700 150 200 300 400 1.2 0 0 0.8 0.6 0.4 0.2 1 2 3 4 5 6 Common emitter Tc = −55°C IB = 30 mA 8 1.0 60 100 7 150 200 300 400 500 600 700 1.2 0 0 0.8 0.6 0.4 0.2 1 2 3 4 5 6 Common emitter Tc = 100°C 8 1.0 7 IB = 20 mA 100 200 300 400 500 600 700 Tc = 100°C 25 0.1 0.3 1 0.3 0.5 1 Common emitter IC/IB = 10 −55 0.05 0.1 3 10 0.03 0.03 0.01 |
Numéro de pièce similaire - 2SD1411A_09 |
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Description similaire - 2SD1411A_09 |
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