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BF620 Fiches technique(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
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BF620 Fiches technique(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
7 / 10 page 2004 Dec 14 7 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistors BF620; BF622 CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT ICBO collector-base cut-off current IE = 0 A; VCB = 200 V − 10 nA IE = 0 A; VCB = 200 V; Tj = 150 °C − 10 µA IEBO emitter-base cut-off current IC = 0 A; VEB = 5 V − 50 nA hFE DC current gain IC = 25 mA; VCE = 20 V 50 − VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = 30 mA; IB = 5 mA − 600 mV Cre feedback capacitance IC = ic = 0 A; VCE = 30 V; f = 1 MHz − 1.6 pF fT transition frequency IC = −10 mA; VCE = 10 V; f = 100 MHz 60 − MHz |
Numéro de pièce similaire - BF620 |
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Description similaire - BF620 |
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