Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
BAS31 Fiches technique(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
BAS31 Fiches technique(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 9 page 2003 Mar 20 6 NXP Semiconductors Product data sheet General purpose controlled avalanche (double) diodes BAS29; BAS31; BAS35 Fig.5 Reverse current as a function of junction temperature. handbook, halfpage 10 200 0 MBH282 100 Tj ( oC) IR ( µA) 1 10−2 10−1 102 (1) (2) (1) VR = 90 V; maximum values. (2) VR = 90 V; typical values. Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. f = 1 MHz; Tj = 25 °C. handbook, halfpage 010 20 30 VR (V) 40 Cd (pF) 30 10 0 20 MGD003 handbook, full pagewidth t rr (1) I F t output signal t r t t p 10% 90% VR input signal V = V I x R RF S R = 50 S Ω IF D.U.T. R = 50 i Ω SAMPLING OSCILLOSCOPE MGA881 Fig.7 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms. (1) IR = 3 mA. |
Numéro de pièce similaire - BAS31 |
|
Description similaire - BAS31 |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |