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2PD2150 Fiches technique(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
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4 / 13 page 2PD2150_2 © NXP B.V. 2007. All rights reserved. Product data sheet Rev. 02 — 2 January 2007 4 of 13 NXP Semiconductors 2PD2150 20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor FR4 PCB, standard footprint Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values Ceramic PCB, Al2O3, standard footprint Fig 3. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values 006aaa944 10 1 102 103 Zth(j-a) (K/W) 10−1 10−5 10 10−2 10−4 102 10−1 tp (s) 10−3 103 1 0 duty cycle = 1 0.5 0.2 0.1 0.75 0.33 0.05 0.02 0.01 006aaa945 10−5 10 10−2 10−4 102 10−1 tp (s) 10−3 103 1 10 1 102 Zth(j-a) (K/W) 10−1 0.02 0.2 0.1 0.05 duty cycle = 1 0.5 0.75 0.33 0.01 0 |
Numéro de pièce similaire - 2PD2150 |
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Description similaire - 2PD2150 |
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