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BDX66 Fiches technique(PDF) 3 Page - Comset Semiconductor |
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BDX66 Fiches technique(HTML) 3 Page - Comset Semiconductor |
3 / 4 page COMSET SEMICONDUCTORS 3/4 BDX 66, A, B, C Symbol Ratings Test Condition(s) Min Typ M x Unit -IEBO Emitter Cutoff Current -VBE=5 V BDX66 BDX66A BDX66B BDX66C - - 5.0 mA TCASE=25°C, -VCB=60 V - - 1 TCASE=200°C, -VCB=40 V BDX66 - - 5 TCASE=25°C, -VCB=50 V - - 1 TCASE=200°C,-VCB=80 V BDX66A - - 5 TCASE=25°C, -VCB=100 V - - 1 TCASE=200°C, -VCB=60 V BDX66B - - 5 TCASE=25°C, -VCB=120 V - - 1 -ICBO Collector-Base Cutoff Current TCASE=200°C, -VCB=70 V BDX66C - - 5 mA hFE DC Current Gain -VCE=3 V,- IC=1 A - 2000 - hFE DC Current Gain -VCE=3 V,- IC=10 A 1000 - - hFE DC Current Gain -VCE=3 V,- IC=16 A - 1000 - - -VCE(SAT) Collector-Emitter saturation Voltage (*) -IC=10 A, -IB=40 mA BDX66 BDX66A BDX66B BDX66C - - 2 V -VBE Base-Emitter Voltage(1&2) -VCE=3 V, -IC=10 A - - 2,5 V VF Diode forward voltage IF=10 A - 2 - V C22b IE=0 A, -VCB=-10V, f=1 MHz BDX66 BDX66A BDX66B BDX66C - 300 - pF ton Switching characteristics VCC=12V, -IC=10 A, -IB1= IB2=40 mA BDX66 BDX66A - 1 - µs |
Numéro de pièce similaire - BDX66 |
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Description similaire - BDX66 |
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