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KF10N50FZ Fiches technique(PDF) 4 Page - KEC(Korea Electronics) |
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4 / 7 page 2008. 10. 29 4/7 KF10N50P/F/PZ/FZ Revision No : 1 Gate - Charge Qg (nC) Drain - Source Voltage VDS (V) 0 12 10 6 2 4 8 28 32 12 4 20 16 24 8 0 Fig8. Qg- VGS Fig9. Safe Operation Area 101 102 10 1 10-1 100 10 0 10 2 10 2 10 3 Drain - Source Voltage VDS (V) Fig10. Safe Operation Area 0 6 2 4 12 10 8 75 150 125 50 100 025 (KF10N50P, KF10N50PZ) ID=10A C Junction Temperature Tj ( ) Fig11. ID - Tj VDS = 400V VDS = 250V VDS = 100V Tc= 25 Tj = 150 Single pulse C C Fig 7. C - VDS Drain - Source Voltage VDS (V) 10 100 1000 10000 05 15 25 35 10 20 30 40 Crss Coss Ciss DC 10ms 1ms 100 µs Operation in this area is limited by RDS(ON) 101 102 10 1 10-1 100 10 0 10 2 10 2 10 3 Tc= 25 Tj = 150 Single pulse C C DC 10ms 1ms Operation in this area is limited by RDS(ON) (KF10N50F, KF10N50FZ) 100 µs |
Numéro de pièce similaire - KF10N50FZ |
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Description similaire - KF10N50FZ |
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