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2SD1263A Fiches technique(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SD1263A Fiches technique(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 4 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1263 2SD1263A CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2SD1263 250 VCEO Collector-emitter voltage 2SD1263A IC=30mA ,IB=0 300 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1A, IB=0.2A 1.0 V VBE Base-emitter voltage IC=1A ; VCE=10V 1.5 V IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 1.0 mA 2SD1263 VCE=150V; IB=0 1.0 mA ICEO Collector cut-off current 2SD1263A VCE=200V; IB=0 1.0 mA 2SD1263 VCE=350V; VBE=0 1.0 mA ICES Collector cut-off current 2SD1263A VCE=400V; VBE=0 1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=0.3A ; VCE=10V 70 250 hFE-2 DC current gain IC=1A ; VCE=10V 10 fT Transition frequency IC=0.5A; VCE=5V,f=10MHz 30 MHz Switching times ton Turn-on time 0.5 µs ts Storage time 2 µs tf Fall time IC=1A;IB1=-IB2=0.1A VCC=50V 0.5 µs hFE-1 Classifications Q P 70-150 120-250 |
Numéro de pièce similaire - 2SD1263A |
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Description similaire - 2SD1263A |
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