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2SD1024 Fiches technique(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SD1024 Fiches technique(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1024 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=6mA 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A; IB=6mA 2.0 V ICEO Collector cut-off current VCE=100V; IB=0 0.1 mA ICBO Collector cut-off current VCB=100V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 5 mA hFE DC current gain IC=5A ; VCE=3V 1500 30000 fT Transition frequency IC=0.8A ; VCE=10V 20 MHz Switching times ton Turn-on time 2 µs ts Storage time 5 µs tf Fall time IC=8A; IB1=IB2=8mA RL=3@;VBB2=4V 3 µs |
Numéro de pièce similaire - 2SD1024 |
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Description similaire - 2SD1024 |
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