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TSHF5200 Fiches technique(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix

No de pièce TSHF5200
Description  High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

TSHF5200 Fiches technique(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix

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www.vishay.com
2
Document Number 81023
Rev. 1.5, 08-Mar-05
TSHF5200
Vishay Semiconductors
Basic Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Typical Characteristics (Tamb = 25
°C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Forward Voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
VF
1.35
1.6
V
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
2.4
V
Temp. Coefficient of VF
IF = 100 mA
TKVF
-1.7
mV/K
Reverse Current
VR = 5 V
IR
10
µA
Junction capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Cj
160
pF
Radiant Intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie
50
100
400
mW/sr
IF = 1 A, tp = 100 µsIe
1000
mW/sr
Radiant Power
IF = 100 mA, tp = 20 ms
φ
e
35
mW
Temp. Coefficient of
φ
e
IF = 100 mA
TK
φ
e
- 0.7
%/K
Angle of Half Intensity
ϕ
± 10
deg
Peak Wavelength
IF = 100 mA
λ
p
870
nm
Spectral Bandwidth
IF = 100 mA
∆λ
40
nm
Temp. Coefficient of
λ
p
IF = 100 mA
TK
λ
p
0.2
nm/K
Rise Time
IF = 100 mA
tr
30
ns
Fall Time
IF = 100 mA
tf
30
ns
Virtual Source Diameter
3.7
mm
Figure 1. Power Dissipation vs. Ambient Temperature
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
1020 3040 5060 7080 90 100
Tamb – Ambient Temperature (°C )
16084
Figure 2. Forward Current vs. Ambient Temperature
0
20
40
60
80
100
120
0
1020 3040 5060 7080 90 100
Tamb – Ambient Temperature (°C )
16085


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