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TIP100 Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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TIP100 Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP100 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 30mA, IB= 0 60 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 6mA B 2.0 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 8A, IB= 80mA B 2.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 8A; VCE= 4V 2.8 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 60V, IE= 0 50 μA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 30V, IB= 0 50 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 8 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 3A; VCE= 4V 1000 20000 hFE-2 DC Current Gain IC= 8A; VCE= 4V 200 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V,f= 0.1MHz 200 pF isc Website:www.iscsemi.cn |
Numéro de pièce similaire - TIP100 |
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Description similaire - TIP100 |
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