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BAY80 Datasheet(Fiches technique) 1 Page - Vishay Siliconix

Numéro de pièce BAY80
Description  Silicon Epitaxial Planar Diode
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo 

   
 1 page
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BAY80
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (4)
www.vishay.de
• FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85553
Silicon Epitaxial Planar Diode
Applications
General purpose
94 9367
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
150
V
Reverse voltage
VR
120
V
Peak forward surge current
tp=1ms
IFSM
1
A
Repetitive peak forward current
IFRM
625
mA
Forward current
IF
250
mA
Average forward current
IFAV
200
mA
Junction temperature
Tj
175
°C
Storage temperature range
Tstg
–65...+200
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Junction ambient
l=4mm, TL=constant
RthJA
350
K/W




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Numéro de composants électroniques

Numéro de pièceDescription des composantsHtml ViewFabricant
HVD142Silicon Epitaxial Planar Pin Diode for Antenna Switching 1 2 3 4 5 MoreHitachi Semiconductor
BB814Silicon Epitaxial Planar Dual Capacitance Diode 1 2 3 Vishay Siliconix
HSK120Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 1 2 3 4 5 Hitachi Semiconductor
HVL133ASilicon Epitaxial Planar Pin Diode for Antenna Switching 1 2 3 4 5 Renesas Technology Corp
HVC131Silicon Epitaxial Planar Pin Diode for High Frequency Switching 1 2 3 4 5 Hitachi Semiconductor
HVD132Silicon Epitaxial Planar Pin Diode for High Frequency Switching 1 2 3 4 5 Hitachi Semiconductor
HZM62ZFASilicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb 1 2 3 4 5 MoreHitachi Semiconductor
KDS226SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING 1 2 KEC(Korea Electronics)
KDV245VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE VCO FOR UHF BAND RADIO 1 2 KEC(Korea Electronics)
KDV350EVARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE VCO 1 2 KEC(Korea Electronics)

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