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BAY135 Datasheet(Fiches technique) 1 Page - Vishay Siliconix

Numéro de pièce BAY135
Description  Silicon Planar Diode
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo 

   
 1 page
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BAY135
Vishay Telefunken
Rev. 3, 18-Mar-99
1 (3)
www.vishay.de
• FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85552
Silicon Planar Diode
Features
D Very low reverse current
Applications
Protection circuits, delay circuits
94 9367
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Value
Unit
Peak reverse voltage, non repetitive
VRSM
140
V
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
140
V
Reverse voltage
VR
125
V
Peak forward surge current
tp=1ms
IFSM
2
A
Average forward current
f=50Hz
IFAV
200
mA
Junction temperature
Tj
200
°C
Storage temperature range
Tstg
–65...+200
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Junction ambient
l=4mm, TL=constant
RthJA
350
K/W




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Numéro de composants électroniques

Numéro de pièceDescription des composantsHtml ViewFabricant
FMMD6050SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING DIODE 1 Zetex Semiconductors
HVD142Silicon Epitaxial Planar Pin Diode for Antenna Switching 1 2 3 4 5 MoreHitachi Semiconductor
BB814Silicon Epitaxial Planar Dual Capacitance Diode 1 2 3 Vishay Siliconix
FMMV3102SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODE 1 Zetex Semiconductors
2.0HSSILICON PLANAR ZENER DIODE 1 2 3 4 Semtech Corporation
IDB31PLANAR SILICON BIDIRECTIONAL TRIGGER DIODE 1 2 3 General Semiconductor
HSK120Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 1 2 3 4 5 Hitachi Semiconductor
HVL133ASilicon Epitaxial Planar Pin Diode for Antenna Switching 1 2 3 4 5 Renesas Technology Corp
HVC131Silicon Epitaxial Planar Pin Diode for High Frequency Switching 1 2 3 4 5 Hitachi Semiconductor
HVD132Silicon Epitaxial Planar Pin Diode for High Frequency Switching 1 2 3 4 5 Hitachi Semiconductor

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