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SI5920DC Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix

No de pièce SI5920DC
Description  Dual N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

SI5920DC Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix

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www.vishay.com
4
Document Number: 73490
S-70914-Rev. C, 07-May-07
Vishay Siliconix
Si5920DC
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
Forward Diode Voltage vs. Temp
Threshold Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
TA = 25 °C
TA = 150 °C
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
10.0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
ID = 250 µA
TJ - Temperature (°C)
rDS(on) vs. VGS vs. Temperature
Single Pulse Power
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
012345
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
TA = 25 °C
TA = 125 °C
0
30
50
10
20
Time (sec)
40
1
100
600
10
10-1
10-2
10-4
10-3
Safe Operating Area, Junction-to-Case
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
*VGS > minimum VGS at which rDS(on) is specified
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
1 s
0.1
T
A = 25 °C
Single Pulse
10 s
dc
10 ms
100 ms
*Limited by rDS(on)


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