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SI5903DC-T1 Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI5903DC-T1 Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 5 page Si5903DC Vishay Siliconix Document Number: 71054 S-21251—Rev. B, 05-Aug-02 www.vishay.com 2-3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 --50 --25 0 25 50 75 100 125 150 0 1 2 3 4 5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0 2468 10 VDS -- Drain-to-Source Voltage (V) Crss Coss Ciss VDS =10 V ID =2.1 A ID -- Drain Current (A) VGS =4.5 V ID =2.1 A VGS =2.5 V VGS =4.5 V Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current Qg -- Total Gate Charge (nC) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ -- Junction Temperature (_C) 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0 1234 5 TJ = 150_C ID =2.1 A 10 1 Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage VSD -- Source-to-Drain Voltage (V) VGS -- Gate-to-Source Voltage (V) VGS =3.6 V 0 100 200 300 400 500 600 04 8 12 16 20 TJ =25_C |
Numéro de pièce similaire - SI5903DC-T1 |
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Description similaire - SI5903DC-T1 |
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