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SI5499DC Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI5499DC Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 8 page www.vishay.com 4 Document Number: 73321 S-80193-Rev. B, 04-Feb-08 Vishay Siliconix Si5499DC New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Gate Charge 0 5 10 15 20 25 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 VGS = 5 thru 2.5 V 1.5 V VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 2 V 1 V 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.10 0 5 10 15 20 25 VGS = 2.5 V ID - Drain Current (A) VGS = 4.5 V VGS = 1.8 V VGS = 1.5 V 0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 5 10 15 20 25 ID = 6 A Qg - Total Gate Charge (nC) VDS = 4 V VDS = 5.6 V Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 2 4 6 8 10 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 25 °C TC = 125 °C - 55 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 400 800 1200 1600 2000 0 123 4567 8 Crss Coss Ciss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 VGS = 4.5 V ID = 5.1 A TJ - Junction Temperature (°C) |
Numéro de pièce similaire - SI5499DC |
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Description similaire - SI5499DC |
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