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SI3879DV-T1-E3 Fiches technique(PDF) 8 Page - Vishay Siliconix |
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SI3879DV-T1-E3 Fiches technique(HTML) 8 Page - Vishay Siliconix |
8 / 10 page www.vishay.com 8 Document Number: 74958 S-71290–Rev. A, 02-Jul-07 Vishay Siliconix Si3879DV New Product SCHOTTKY TYPICAL CHARACTERISTICS TA = 25 °C, unless otherwise noted Reverse Current vs. Junction Temperature Capacitance TJ - Junction Temperature (°C) - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 1.0E-08 1.0E-03 1.0E-01 VR = 15 V 1.0E-07 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-02 VR = 10 V VR = 20 V 0 60 120 180 240 300 04 8 12 16 20 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Forward Diode Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 10 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) TJ = 150 °C TJ = 25 °C 0.01 0.1 1 0.001 TJ = - 55 °C 0 6 12 18 24 30 Time (sec) 110 0.1 0.01 0.001 |
Numéro de pièce similaire - SI3879DV-T1-E3 |
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Description similaire - SI3879DV-T1-E3 |
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