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SI1472DH-T1-E3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI1472DH-T1-E3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page www.vishay.com 4 Document Number: 73891 S-71344–Rev. B, 09-Jul-07 Vishay Siliconix Si1472DH New Product TYPICAL CHARACTERISTICS TA = 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.01 0.1 10 VSD – Source-to-Drain Voltage (V) 0 1 1 0.8 0.6 0.4 0.2 TJ = 150 °C = 25 °C TJ 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ – Temperature (°C) rDS(on) vs VGS vs Temperature Single Pulse Power 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 02468 10 VGS – Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C I D = 4.2 A 0 20 30 5 15 Time (sec) 25 1 600 100 0.001 0.1 10 0.01 10 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient *VGS minimum VGS at which rDS(on) is specified 100 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 VDS – Drain-to-Source Voltage (V) 1 *Limited by rDS(on) TA = 25 °C Single Pulse P(t) = 100 ms P(t) = 1 s dc P(t) = 10 ms P(t) = 10 s BVDSS Limited |
Numéro de pièce similaire - SI1472DH-T1-E3 |
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Description similaire - SI1472DH-T1-E3 |
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