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SI1073X-T1-E3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI1073X-T1-E3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 6 page www.vishay.com 4 Document Number: 74285 S-82617-Rev. C, 03-Nov-08 Vishay Siliconix Si1073X New Product TYPICAL CHARACTERISTICS TA = 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.01 0.1 1 10 0 0.2 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 TJ = 150 °C TJ = 25 °C 0.4 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ - Temperature (°C) ID = 250 µA RDS(on) vs. VGS vs. Temperature Single Pulse Power 0.08 0.12 0.16 0.20 0.24 02 4 6 8 10 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) ID = 0.94 A TA = 125 °C TA = 25 °C Time (s) 0 2 4 6 8 10 0.01 0.1 1 10 100 1000 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 10 100 BVDSS Limited TA = 25 °C Single Pulse Limited by RDS(on)* DC 1 s 10 s 100 ms 10 ms 1 ms 100 µs VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Numéro de pièce similaire - SI1073X-T1-E3 |
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Description similaire - SI1073X-T1-E3 |
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