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IRFP21N60L Fiches technique(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix |
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IRFP21N60L Fiches technique(HTML) 5 Page - Vishay Siliconix |
5 / 8 page Document Number: 91206 www.vishay.com S-81273-Rev. B, 16-Jun-08 5 IRFP21N60L, SiHFP21N60L Vishay Siliconix Fig. 9 - Maximum Safe Operating Area Fig. 10 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig. 11a - Switching Time Test Circuit Fig. 11b - Switching Time Waveforms Fig. 12 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 1 10 100 1000 10000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 0.1 1 10 100 1000 1msec 10msec OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) 100µsec Tc = 25°C Tj = 150°C Single Pulse 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) 0 5 10 15 20 25 Pulse width ≤ 1 µs Duty factor ≤ 0.1 % R D V GS R G D.U.T. 10 V + - V DS V DD V DS 90 % 10 % V GS t d(on) t r t d(off) t f 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 0.20 0.10 D = 0.50 0.02 0.01 0.05 SINGLE PULSE ( THERMAL RESPONSE ) Notes: 1. Duty factor D = t / t 2. Peak T = P x Z + T 1 2 J DM thJC C P t t DM 1 2 |
Numéro de pièce similaire - IRFP21N60L |
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Description similaire - IRFP21N60L |
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