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FDN5632N_F085 Fiches technique(PDF) 6 Page - Fairchild Semiconductor |
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FDN5632N_F085 Fiches technique(HTML) 6 Page - Fairchild Semiconductor |
6 / 7 page FDN5632N_F085 Rev. A (W) www.fairchildsemi.com 6 Figure 11. Normalized Drain to Source -80 -40 0 40 80 120 160 0.90 0.95 1.00 1.05 1.10 1.15 ID = 250µA TJ, JUNCTION TEMPERATURE ( oC) Breakdown Voltage vs Junction Temperature Figure 12. Capacitance vs Drain to Source 0.1 1 10 50 10 100 1000 f = 1MHz VGS = 0V Crss Coss Ciss VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Voltage Figure 13. 03 69 12 0 2 4 6 8 10 ID = 1.7A VDD = 40V VDD = 20V VDD = 30V Qg, GATE CHARGE(nC) Gate Charge vs Gate to Source Voltage Typical Characteristics |
Numéro de pièce similaire - FDN5632N_F085 |
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Description similaire - FDN5632N_F085 |
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