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BZX55C Fiches technique(PDF) 1 Page - Yangzhou yangjie electronic co., ltd |
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BZX55C Fiches technique(HTML) 1 Page - Yangzhou yangjie electronic co., ltd |
1 / 4 page DO-35 Features 1.High reliability Applications Voltage stabilization Construction Silicon epitaxial planer Absoluto Maximum Ratings Tj=250C Parameter Power dissipation Z-current Junction temperature Storage temperature range Test Conditions I=4mm TL*250C Type Symbol PD lz Tj Tstg Value 500 PD/Vz 175 -65~+175 Unit mW mA 0 C 0 C Maximum Thermal Resistance Tj=250C Parameter Junction ambient Test Condltions I=4mm TL=constant Symbol RthJA Value 500 Unit K/W Electrcal Characteristics Tj=250C Parameter Forward voltage Test Conditions lF=200mA Type Symbol VF Min Typ Max 1.5 Unit V BZX55C Series Zener diode Dimensions in inches and (millimeters) 1.02(26.0) MIN 1.02(26.0) MIN .165(4.2) MAX .079(2.0) MAX .020(.52) TYP Voltage Range 2.4 to 75 Volts |
Numéro de pièce similaire - BZX55C |
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Description similaire - BZX55C |
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