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STQ1NE10L Fiches technique(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STQ1NE10L Fiches technique(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 13 page Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s) STQ1NE10L Electrical characteristics 5/13 Table 5. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit ISD Source-drain current 1 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) 4 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=1A, VGS=0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 1A, di/dt = 100A/µs, VDD=30V, TJ = 100°C 52 90 3.5 ns nC A |
Numéro de pièce similaire - STQ1NE10L_07 |
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Description similaire - STQ1NE10L_07 |
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