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BTA201 Fiches technique(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
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6 / 12 page BTA201_SER_B_E_ER_4 © NXP B.V. 2008. All rights reserved. Product data sheet Rev. 04 — 4 February 2008 6 of 12 NXP Semiconductors BTA201 series B, E and ER 1 A Three-quadrant triacs high commutation 6. Static characteristics Table 5. Static characteristics Tj =25 °C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions BTA201-600B BTA201-800B BTA201-600E BTA201-800E BTA201-800ER Unit Min Typ Max Min Typ Max IGT gate trigger current VD = 12 V; IT = 0.1 A; see Figure 8 T2+ G+ 5 - 50 1 - 10 mA T2+ G − 5 - 50 1 - 10 mA T2 − G− 5 - 50 1 - 10 mA IL latching current VD =12V;IGT = 0.1 A; see Figure 10 T2+ G+ - - 30 - - 12 mA T2+ G − --50 --20 mA T2 − G− --30 --12 mA IH holding current VD =12V;IGT = 0.1 A; see Figure 11 --30 --12 mA VT on-state voltage IT = 1.4 A; see Figure 9 - 1.2 1.5 - 1.2 1.5 V VGT gate trigger voltage VD = 12 V; IT = 0.1 A; see Figure 7 - 0.7 1.5 - 0.7 1.5 V VD = 400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 °C 0.2 0.3 - 0.2 0.3 - V ID off-state current VD =VDRM(max); Tj = 125 °C - 0.1 0.5 - 0.1 0.5 mA |
Numéro de pièce similaire - BTA201 |
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Description similaire - BTA201 |
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