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TA58L12S Fiches technique(PDF) 7 Page - Toshiba Semiconductor |
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TA58L12S Fiches technique(HTML) 7 Page - Toshiba Semiconductor |
7 / 12 page TA58L05, 06, 08, 09, 10, 12, 15S 2006-11-02 7 TA58L15S Electrical Characteristics (unless otherwise specified, Tj = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit VIN = 20 V, IOUT = 10 mA 14.55 15.00 15.45 Output voltage VOUT 15.35 V <= VIN <= 26 V, IOUT = 10 mA, -40°C <= Ta <= 105°C 14.4 15.0 15.6 V 19 V <= VIN <= 26 V, IOUT = 10 mA ⎯ 1 12 Line regulation Reg・line 15.35 V <= VIN <= 26 V, IOUT = 10 mA ⎯ 2 20 mV Load regulation Reg・load VIN = 20 V, 10 mA <= IOUT <= 250 mA ⎯ 20 60 mV 16 V <= VIN <= 26 V, IOUT = 0 A ⎯ 0.75 1.40 Quiescent current IB 16 V <= VIN <= 26 V, IOUT = 250 mA ⎯ 25 50 mA IOUT = 50 mA ⎯ 0.08 0.20 Dropout voltage VD IOUT = 200 mA ⎯ 0.22 0.40 V |
Numéro de pièce similaire - TA58L12S |
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Description similaire - TA58L12S |
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