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2SK3444 Fiches technique(PDF) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
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3 / 6 page 2SK3444 2006-11-21 3 Drain-source voltage VDS (V) ID – VDS Drain-source voltage VDS (V) ID – VDS Gate-source voltage VGS (V) ID – VGS Gate-source voltage VGS (V) VDS – VGS Drain current ID (A) ⎪Yfs⎪ – ID Drain current ID (A) RDS (ON) – ID 40 0 0 10 20 30 50 2 4 8 6 10 VGS = 6.5 V 15 Common source Tc = 25°C Pulse test 10 9.5 9 8.5 8 7.5 7 80 0 0 20 40 60 100 48 16 12 20 VGS = 7 V Common source Tc = 25°C Pulse test 15 8 12 11 10 9 40 0 0 10 20 30 50 4 8 16 12 20 Tc = −55°C Common source VDS = 10 V Pulse test 25 100 0 4 0 20 1 2 3 4 8 12 16 ID = 25 A 12 Common source Tc = 25°C Pulse test 6 1 1 10 100 10 100 Tc = −55°C 25 Common source VDS = 10 V Pulse test 100 10 110 100 100 1000 VGS = 10 V 15 Common source Tc = 25°C Pulse test |
Numéro de pièce similaire - 2SK3444 |
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Description similaire - 2SK3444 |
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