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TPCP8F01 Fiches technique(PDF) 6 Page - Toshiba Semiconductor |
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TPCP8F01 Fiches technique(HTML) 6 Page - Toshiba Semiconductor |
6 / 8 page TPCP8F01 2006-11-13 6 Nch-MOS ID – VDS Drain −source voltage VDS (V) 0 250 50 150 100 200 0 0.5 2.0 1.0 1.5 10 4 3 1.5 VGS = 1.3 V Common source Ta = 25°C RDS (ON) − ID Drain current ID (A) 0 12 2 8 4 10 1 1000 10 100 RDS (ON) – Ta Ambient temperature Ta (°C) 0 8 1 3 7 0 −25 150 75 125 ⎪Yfs⎪ − ID Drain current ID (A) 1 1000 100 10 1 1000 10 100 t − ID Drain current ID (mA) 10 10000 100 0.1 100 10 Common source VDS = 20 V Ta = 25°C toff tr ton C − VDS Drain −source voltage VDS (V) 1 100 0.1 100 VGS = 1.5 V Common source Ta = 25°C 1 2.3 2.5 2.1 4 100 50 25 2.5 1.7 1.9 4 6 Common source 6 5 2 tf Common source VDD = 3 V VGS = 0 to 2.5V Ta = 25°C 1 1000 10 10 Ciss Coss Crss Common source VGS = 0 V f = 1 MHz Ta = 25°C |
Numéro de pièce similaire - TPCP8F01 |
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Description similaire - TPCP8F01 |
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