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1N4151 Fiches technique(PDF) 1 Page - TRANSYS Electronics Limited |
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1N4151 Fiches technique(HTML) 1 Page - TRANSYS Electronics Limited |
1 / 2 page SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODE 1N4151 500mW DO- 35 Glass Axial Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Reverses Voltage ( Continuous) VR 50 V Repetitive Peak Reversse Voltage VRRM 75 V Total Power Dissipation @ TA=25ºC Ptot 500 mW Linear Derating Factor 2.85 mW/ºC Storage Temperature Tstg -65 to +200 ºC Junction Temperature Tj 200 ºC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION MIN TYP MAX UNIT Forward Voltage VF IF=50mA, 1.0 V Reverse Current IR VR= 50V 0.05 µΑ VR =50V, Tj=150ºC 50 µΑ Breakdown Voltage BV IR=5.0µA 75 V Reverse Recovery Time trr IF=10mA to IR=10mA 4ns Recovery to 1.0mA IF=10mA, VR=-6.0V 2ns RL=100 Ω Capacitance C VR=0, f=1.0MHz 4pF Transys Electronics LI M ITE D |
Numéro de pièce similaire - 1N4151 |
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Description similaire - 1N4151 |
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