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SI4833DY Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI4833DY Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 7 page Si4833DY Vishay Siliconix Document Number: 70796 S-56941—Rev. B, 02-Nov-98 www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600 2-3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) MOSFET 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 0 100 200 300 400 500 600 700 0 6 12 18 24 30 Crss Coss Ciss 0 4 8 12 16 20 024 68 125 _C TC = –55_C 25 _C 0 2 4 6 8 10 02468 10 0 0.08 0.16 0.24 0.32 0.40 0369 12 15 VGS = 10 V VGS = 4.5 V 0 4 8 12 16 20 024 68 VGS = 10, 9, 8, 7, 6 V 4 V 5 V 3 V VDS = 10 V ID = 2.5 A VGS = 10 V ID = 2.5 A Output Characteristics Transfer Characteristics Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current VDS – Drain-to-Source Voltage (V) VGS – Gate-to-Source Voltage (V) Qg – Total Gate Charge (nC) VDS – Drain-to-Source Voltage (V) ID – Drain Current (A) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ – Junction Temperature (_C) |
Numéro de pièce similaire - SI4833DY |
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Description similaire - SI4833DY |
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