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BAS321 Fiches technique(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
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5 / 9 page 2004 Jan 26 5 Philips Semiconductors Product specification General purpose diode BAS321 Fig.5 Reverse current as a function of junction temperature. (1) VR =VRmax; maximum values. (2) VR =VRmax; typical values. handbook, halfpage 102 10 200 0 MBG381 100 Tj ( oC) IR ( µA) 1 10 2 10 1 (1) (2) Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. f = 1 MHz; Tj =25 °C. handbook, halfpage 04 8 6 2 1.0 0.8 0.2 0.6 0.4 MBG447 VR (V) Cd (pF) Fig.7 Maximum permissible continuous reverse voltage as a function of the ambient temperature. handbook, halfpage 0 50 100 200 Tamb (°C) VR (V) 300 0 100 200 150 MBK926 |
Numéro de pièce similaire - BAS321_04 |
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Description similaire - BAS321_04 |
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