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IRF7451PBF Fiches technique(PDF) 4 Page - International Rectifier |
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IRF7451PBF Fiches technique(HTML) 4 Page - International Rectifier |
4 / 8 page IRF7451PbF 4 www.irf.com Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage Fig 5. Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source Voltage 0 10 20 30 40 0 4 8 12 16 Q , Total Gate Charge (nC) G I = D 2.2A V = 30V DS V = 75V DS V = 120V DS Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 0.1 1 10 100 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 V ,Source-to-Drain Voltage (V) SD V = 0 V GS T = 25 C J ° T = 150 C J ° 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) Single Pulse T T = 150 C = 25 C ° ° J C V , Drain-to-Source Voltage (V) DS 10us 100us 1ms 10ms Fig 8. Maximum Safe Operating Area 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 10 100 1000 10000 100000 Coss Crss Ciss VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED Crss = Cgd Coss = Cds + Cgd |
Numéro de pièce similaire - IRF7451PBF |
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Description similaire - IRF7451PBF |
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