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LLE18150X Fiches technique(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
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LLE18150X Fiches technique(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
7 / 9 page September 1994 7 Philips Semiconductors Product specification NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor LLE18150X Fig.5 Load power as a function of input power. VCE = 24 V; f = 1850 MHz. 0 20 0 4 MBD737 8 12 16 123 4 PL (W) P (W) i I = 20 mA 50 mA 100 mA CQ Input and optimum load impedances. VCE = 24 V; ICQ = 50 mA; Zo = 10 Ω (see Figs 6 and 7); typical values at PL =PL1. f (GHz) Zi ( Ω) ZL ( Ω) 1.70 4.5 + j8.0 6.2 − j0.5 1.80 7.5 + j9.0 5.7 − j1.0 1.85 9.2 + j8.2 4.7 − j1.7 1.90 9.5 + j6.5 3.9 − j2.2 2.00 7.0 + j3.0 2.7 − j2.4 |
Numéro de pièce similaire - LLE18150X |
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Description similaire - LLE18150X |
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