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LLE18100X Fiches technique(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
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3 / 9 page November 1994 3 Philips Semiconductors Product specification NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor LLE18100X LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). Note 1. Up to 0.2 mm from ceramic. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter − 45 V VCER collector-emitter voltage RBE = 220 Ω− 30 V VCEO collector-emitter voltage open base − 15 V VEBO emitter-base voltage open collector − 3V IC collector current − 2A Ptot total power dissipation Tmb =75 °C − 23 W Tstg storage temperature range −65 150 °C Tj junction temperature − 200 °C Tsld soldering temperature t ≤ 10 s note 1 − 235 °C Fig.2 DC SOAR. Tmb ≤ 75 °C (1) Region of permissible DC operation handbook, halfpage 10−2 10−1 1 VCE (V) 10 110 (1) 102 IC (A) MRA545 Fig.3 Maximum power dissipation derating as a function of mounting base temperature. Ptot max = 23 W. handbook, halfpage 0 5 10 15 20 25 30 0 50 100 150 200 Tmb ( oC) 250 Ptot (W) MRA544 |
Numéro de pièce similaire - LLE18100X |
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Description similaire - LLE18100X |
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