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LLE18100X Fiches technique(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
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6 / 9 page November 1994 6 Philips Semiconductors Product specification NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor LLE18100X Fig.5 Class AB bias circuit at 1.85 GHz. handbook, full pagewidth MBC421 - 1 R1 R2 P1 D1 D2 R3 C1 C5 C6 +VCC D.U.T. 0 V TR1 L2 L1 PREMATCHINGTEST CIRCUIT BIAS CIRCUIT Fig.6 Load power as a function of input power. VCE = 24 V f = 1.85 GHz handbook, halfpage 0 5 10 15 0 0.4 PL (W) 0.8 PIN (W) 1.2 1.6 MRA543 ICQ = 100 mA 10 mA 3 mA Fig.7 Intermodulation distortion as a function of average output power. VCE = 24 V f = 1.85 GHz handbook, halfpage −45 −40 −35 −30 −25 −20 −15 02 4 dim (dBc) POUT (W) 68 MRA542 ICQ = 3 mA 30 mA 100 mA |
Numéro de pièce similaire - LLE18100X |
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Description similaire - LLE18100X |
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