Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
IRF530N Fiches technique(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
IRF530N Fiches technique(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 7 page Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS ™ transistor IRF530N Fig.13. Typical reverse diode current. I F = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj Fig.14. Maximum permissible non-repetitive avalanche current (I AS) versus avalanche time (tAV); unclamped inductive load 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 Source-Drain Voltage, VSDS (V) Source-Drain Diode Current, IF (A) Tj = 25 C 175 C VGS = 0 V 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 Avalanche time, tAV (ms) Maximum Avalanche Current, IAS (A) Tj prior to avalanche = 150 C 25 C August 1999 5 Rev 1.100 |
Numéro de pièce similaire - IRF530N |
|
Description similaire - IRF530N |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |