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HY3810P Fiches technique(PDF) 5 Page - HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

No de pièce HY3810P
Description  N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Fabricant  HUAYI [HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]
Site Internet  http://www.hymexa.com/
Logo HUAYI - HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

HY3810P Fiches technique(HTML) 5 Page - HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

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2
12
10
8
6
4
2.0
3.5
5.5
5.0
4.5
4.0
5
VDS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
Drain-Source On Resistance
ID - Drain Current (A)
VGS - Gate - Source Voltage (V)
Tj - Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
Typical Operating Characteristics (Cont.)
Drain-Source On Resistance
456
7
8
9
10
I
DS
=90A
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250A
0
40
80
120
160
2.5
3.0
6.0
6.5
7.0
V
GS =10V
200
HY3810P/M/B/PS/PM
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
4V
5V
4.5V
V
GS= 5.5,6,7,8,9,10V
0
30
60
90
120
150
180
210
240
V1.0
www.hymexa.com


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