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BAS70LT1G Fiches technique(PDF) 2 Page - ON Semiconductor |
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BAS70LT1G Fiches technique(HTML) 2 Page - ON Semiconductor |
2 / 3 page BAS70LT1 http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit Reverse Breakdown Voltage − (IR = 10 mA) V(BR)R 70 − V Total Capacitance − (VR = 0 V, f = 1.0 MHz) CT − 2.0 pF Reverse Leakage (VR = 50 V) (VR = 70 V) IR − − 0.1 10 mA Forward Voltage − (IF = 1.0 mA) VF − 410 mV Forward Voltage − (IF = 10 mA) VF − 750 mV Forward Voltage − (IF = 15 mA) VF − 1.0 V 100 0 0.1 VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS) 0.2 0.3 0.4 0.5 10 1.0 0.1 85°C 10 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 1.0 0.1 0.01 0.001 5.0 10 15 20 50 1.4 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 1.2 0.4 0.2 0 5.0 10 15 50 Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Reverse Current versus Reverse Voltage Figure 3. Typical Capacitance −40°C 25°C TA = 150°C 25°C 1.0 −55°C 125 °C 150°C 100 25 20 0.6 0.8 1.0 0.6 0.7 125°C 85°C 30 35 40 45 25 30 35 40 45 0.8 0.9 |
Numéro de pièce similaire - BAS70LT1G |
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Description similaire - BAS70LT1G |
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