Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
STD110NH02L Fiches technique(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STD110NH02L Fiches technique(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page STD110NH02L Electrical characteristics 5/15 Table 5. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD = 10V, ID = 40A, RG = 4.7Ω, VGS = 10V Figure 13 on page 8 14 224 69 40 54 ns ns ns ns Table 6. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current 80 A ISDM Source-drain current (pulsed) 320 A VSD (1) 1. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 40A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 80A, di/dt = 100A/µs, VDD = 15V, TJ = 150°C Figure 15 on page 8 47 58 2.5 ns µC A |
Numéro de pièce similaire - STD110NH02L |
|
Description similaire - STD110NH02L |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |