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FDB8442 Fiches technique(PDF) 6 Page - Fairchild Semiconductor |
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FDB8442 Fiches technique(HTML) 6 Page - Fairchild Semiconductor |
6 / 7 page FDB8442 Rev. A www.fairchildsemi.com 6 Figure 11. -80 -40 0 40 80 120 160 200 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 TJ, JUNCTION TEMPERATURE(oC) VGS = VDS ID = 250µA Normalized Gate Threshold Voltage vs Junction Temperature Figure 12. Normalized Drain to Source Breakdown Voltage vs Junction Temperature -80 -40 0 40 80 120 160 200 0.90 0.95 1.00 1.05 1.10 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) ID = 250µA Figure 13. 0.1 1 10 100 1000 10000 Ciss Coss Crss f = 1MHz VGS = 0V VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 50 40000 Capacitance vs Drain to Source Voltage Figure 14. 0 50 100 150 200 0 2 4 6 8 10 VDD = 20V VDD = 25V VDD = 15V ID = 80A Qg, GATE CHARGE(nC) Gate Charge vs Gate to Source Voltage Typical Characteristics |
Numéro de pièce similaire - FDB8442 |
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Description similaire - FDB8442 |
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