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2SK3453 Fiches technique(PDF) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
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2SK3453 Fiches technique(HTML) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
4 / 6 page 2SK3453 2002-09-02 4 40 80 10 0 40 80 120 200 120 160 160 200 RDS (ON) - Tc IDR - VDS Capacitance – VDS Vth - Tc PD - Tc Dynamic input/output characteristics Case temperature Tc (°C) Drain-source voltage VDS (V) Drain-source voltage VDS (V) Cace temperature Tc (°C) Case temperature Tc (°C) Total gate charge Qg (nC) 0 2 4 6 8 10 -80 -40 0 40 120 160 Common source VGS = 10 V Pulse test 5 2.5 ID = 10 A 80 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 -80 -40 0 40 80 160 Common source VDS = 10 V ID = 1 mA Pulse test 120 80 100 200 0 0 10 30 50 300 400 60 500 4 8 0 12 16 20 VDS = 100 V VGS 400 200 VDS 20 40 70 Common source ID = 10 A Tc = 25°C Pulse test 50 500 3000 10 0.1 0.3 3 10 100 100 300 1000 5000 1 30 30 Ciss 50 5 0.5 Common source VGS = 0 V f = 1 MHz Tc = 25°C Crss Coss 3 1 1 0.01 0 -0.2 -1.2 100 -0.6 -0.8 10 0.1 10 -0.4 -1.0 0.03 0.05 0.3 0.5 3 5 30 50 Common source Tc = 25°C Pulse test VGS = 0, -1 V |
Numéro de pièce similaire - 2SK3453 |
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Description similaire - 2SK3453 |
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