Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
BU2508A Fiches technique(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BU2508A Fiches technique(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 7 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508A Fig.3. Switching times waveforms. Fig.4. Switching times definitions. Fig.5. Switching times test circuit (BU2508A). Fig.6. Typical DC current gain. h FE = f (IC) parameter V CE Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage. V BEsat = f (IC); parameter IC/IB Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage. V CEsat = f (IC); parameter IC/IB IC IB VCE ICM IBend 64us 26us 20us t t t BU2508A DIODE 0.01 1 100 10 1 0.1 10 h IC / A FE Tj = 25 C Tj = 125 C 5V 1V ICM 90 % 10 % tf ts IBend IC IB t t - IBM 0.1 1 10 IC / A VBESAT / V BU2508A 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 Tj = 25 C Tj = 125 C 3 4 5 IC/IB= + 150 v nominal adjust for ICM 1mH BY228 12nF BU2508A LB IBend -VBB 0.1 1 10 IC / A VCESAT / V BU2508A 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Tj = 25 C Tj = 125 C 5 4 3 IC/IB= November 1995 3 Rev 1.300 |
Numéro de pièce similaire - BU2508A |
|
Description similaire - BU2508A |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |