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IRHNA3160 Fiches technique(PDF) 5 Page - International Rectifier

No de pièce IRHNA3160
Description  RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier

IRHNA3160 Fiches technique(HTML) 5 Page - International Rectifier

  IRHNA3160 Datasheet HTML 1Page - International Rectifier IRHNA3160 Datasheet HTML 2Page - International Rectifier IRHNA3160 Datasheet HTML 3Page - International Rectifier IRHNA3160 Datasheet HTML 4Page - International Rectifier IRHNA3160 Datasheet HTML 5Page - International Rectifier IRHNA3160 Datasheet HTML 6Page - International Rectifier IRHNA3160 Datasheet HTML 7Page - International Rectifier IRHNA3160 Datasheet HTML 8Page - International Rectifier  
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background image
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHNA7160
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
f = 1MHz
+ C
+ C
C
SHORTED
GS
iss
gs
gd ,
ds
rss
gd
oss
ds
gd
Ciss
Coss
Crss
0
40
80
120
160
200
240
280
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
D
13
51A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
,Source-to-Drain Voltage (V)
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
°
°
J
C
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
100us
1ms
10ms


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