Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
SPW17N80C2 Fiches technique(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
|
SPW17N80C2 Fiches technique(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
7 / 11 page 2000-05-29 Page 7 SPW17N80C2 Preliminary data 9 Typ. transfer characteristics ID= f ( VGS ); VDS³ 2 x ID x RDS(on)max parameter: tp = 10 µs 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20 VGS 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 A 65 25°C 150°C 10 Gate threshold voltage VGS(th) = f (Tj) parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA -60 -20 20 60 100 °C 160 Tj 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0 min. typ. max. 11 Typ. gate charge VGS = f (QGate) parameter: ID = 17 A pulsed 0 20 40 60 80 100 nC 140 QGate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 SPW17N80C2 0,8 V DS max DS max V 0,2 12 Forward characteristics of body diode IF = f (VSD) parameter: Tj , tp = 10 µs 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0 VSD -1 10 0 10 1 10 2 10 A SPW17N80C2 T j = 25 °C typ T j = 25 °C (98%) T j = 150 °C typ T j = 150 °C (98%) |
Numéro de pièce similaire - SPW17N80C2 |
|
Description similaire - SPW17N80C2 |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |