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BAT120A Fiches technique(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
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4 / 8 page 1998 Oct 30 4 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier double diodes BAT120 series GRAPHICAL DATA (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb = 100 °C. (3) Tamb =75 °C. (4) Tamb =25 °C. Fig.5 Forward current as a function of forward voltage; typical values. handbook, halfpage 1.0 VF (V) IF (mA) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 104 103 102 10 1 MBK572 (1) (2) (3) (4) (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb = 100 °C. (3) Tamb =75 °C. (4) Tamb =25 °C. Fig.6 Reverse current as a function of reverse voltage; typical values. handbook, halfpage 30 VR (V) IR (mA) 0 10 20 104 103 102 10 1 MBK573 (1) (2) (3) (4) Fig.7 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. f = 1 MHz; Tamb =25 °C. handbook, halfpage 30 VR (V) Cd (pF) 010 20 103 102 10 MBK571 |
Numéro de pièce similaire - BAT120A |
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Description similaire - BAT120A |
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