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H5N5001FM Fiches technique(PDF) 2 Page - Renesas Technology Corp |
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H5N5001FM Fiches technique(HTML) 2 Page - Renesas Technology Corp |
2 / 10 page H5N5001FM 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage V DSS 500 V Gate to source voltage V GSS ±30 V Drain current I D 5A Drain peak current I D(pulse) Note1 20 A Body-drain diode reverse drain current I DR 5A Body-drain diode reverse drain peak current I DR(pulse) Note1 20 A Avalanche current I AP Note3 5A Channel dissipation Pch Note2 30 W Channel to case Thermal Impedance θch-c 4.17 °C/W Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature Tstg –55 to +150 °C Note: 1. PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1 % 2. Value at Tc = 25 °C 3. Tch ≤150°C |
Numéro de pièce similaire - H5N5001FM |
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Description similaire - H5N5001FM |
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