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STP3055L2 Fiches technique(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
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STP3055L2 Fiches technique(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
1 / 7 page N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor TO-220 and TO-263 Package. ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TC=25 C unless otherwise noted) S amHop Microelectronics C orp. Nov 23, 2004 1 P R ODUC T S UMMAR Y V DS S ID R DS (ON) ( m W ) 20V 18A 40 @ V GS = 4.5V 60 @ V GS = 2.5V F E AT UR E S S uper high dense cell design for low R DS(ON). R ugged and reliable. S G D THE R MAL CHAR ACTE R IS TICS Thermal R esistance, Junction-to-Case Thermal R esistance, Junction-to-Ambient R JC 3 50 R JA /W C /W C 20 Parameter S ymbol Limit Unit Drain-S ource Voltage VDS V Gate-S ource Voltage 12 VGS V -Pulsed 18 ID A 45 IDM A Drain-S ource Diode Forward Current 15 IS A Maximum Power Dissipation PD W Operating and S torage Temperature R ange TJ, TS TG -55 to 175 C @ Tc=25 C 50 Drain Current-Continuous @ TJ=25 C a Max S T P /B 3055L2 S TB S E R IE S TO-263(DD-PAK) G S D S TP S E R IE S TO-220 S D G |
Numéro de pièce similaire - STP3055L2 |
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Description similaire - STP3055L2 |
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