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2SK3047 Fiches technique(PDF) 3 Page - Panasonic Semiconductor |
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2SK3047 Fiches technique(HTML) 3 Page - Panasonic Semiconductor |
3 / 3 page 3 Power F-MOS FETs 2SK3047 VDS, VGS Qg td(on), tr, tf, td(off) ID Rth(t) t 10–4 10 10–3 10–1 10–2 1103 102 104 10–2 10–1 1 10 102 (1) Without heat sink (2) With a 100 × 100 × 2mm Al heat sink (1) (2) Time t (s) 0 4 8 12 16 20 24 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 4 8 12 16 2 6 10 14 V GS V DS I D=2A T C=25˚C Gate charge amount Q g (nC) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 0 20 40 60 80 100 120 t d(off) t f t r t d(on) V DD=200V V GS=10V T C=25˚C Drain current I D (A) |
Numéro de pièce similaire - 2SK3047 |
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Description similaire - 2SK3047 |
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