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STN4NF20L Fiches technique(PDF) 5 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
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STN4NF20L Fiches technique(HTML) 5 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
5 / 8 page Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit Rg IAS 0.01 Ω tp D.U.T L V DS + - V DD 10 V Vary tp to obtain required IAS IAS VDS VDD VDS tp 91193_12C 100 0 20 40 60 80 25 150 125 100 75 50 Starting TJ, Junction Temperature (°C) 120 Bottom Top I D 0.43 A 0.61 A 0.90 A V DD = 50 V Q GS Q GD Q G VG Charge V GS D.U.T. 3 mA V GS V DS I G I D 0.3 µF 0.2 µF 50 k Ω 12 V Current regulator Current sampling resistors Same type as D.U.T. + - E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 www.VBsemi.tw STN4NF20L 5 |
Numéro de pièce similaire - STN4NF20L |
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Description similaire - STN4NF20L |
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