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SSM3J36MFV Fiches technique(PDF) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
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SSM3J36MFV Fiches technique(HTML) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
3 / 5 page SSM3J36MFV 2014-03-01 3 Ambient temperature Ta (°C) Vth – Ta -1.0 0 −50 0 150 -0.5 50 100 Common Source VDS = -3 V ID = -1 mA 0 -2 -4 -6 Gate-source voltage VGS (V) 0 5 RDS (ON) – VGS 4 -8 3 2 1 − 25 °C Ta = 100 °C 25 °C ID =-100mA Common Source Ta = 25°C Drain-source voltage VDS (V) ID – VDS 0 -200 0 -0.5 -1.0 -1.5 -100 -500 -8V Common Source Ta = 25 °C -2.8V -4.5V -1.5 V -1.8 V VGS=-1.2 V -2.5V -300 -400 -600 -700 Gate-source voltage VGS (V) ID – VGS -1000 0 -10 -100 -0.1 -1 -0.01 -1.0 -2.0 − 25 °C Ta = 100 °C 25 °C Common Source VDS = -3 V RDS (ON) – ID Drain current ID (mA) 0 -100 -200 0 5 4 3 2 1 VGS = -4.5 V -2.8 V Common Source Ta = 25°C -1.8 V -300 -400 -500 -600 -700 -1.5 V Ambient temperature Ta (°C) RDS (ON) – Ta −50 0 50 150 100 Common Source ID = -100mA / VGS = -4.5 V -40mA / -1.8 V -80mA / -2.8 V -30mA / -1.5V 0 5 4 3 2 1 |
Numéro de pièce similaire - SSM3J36MFV |
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Description similaire - SSM3J36MFV |
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