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SIHP12N65E Fiches technique(PDF) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
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SIHP12N65E Fiches technique(HTML) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
4 / 8 page Fig. 7 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage Fig. 8 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig. 9 - Maximum Safe Operating Area Fig. 10 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig. 11 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage Qg, Total Gate Charge (nC) 16 4 0 60 120 0 24 20 12 8 30 90 V DS = 520 V V DS = 325 V V DS = 130 V 150 VSD, Source-Drain Voltage (V) 0.1 1 10 100 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 T J = 150 °C T J = 25 °C V GS = 0 V V DS, Drain-to-Source Voltage (V) * V GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified I DM Limited BVDSS Limited 100 μs 1 ms 10 ms TC = 25 °C TJ = 150 °C Single Pulse Limited by R DS(on)* 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 Operation in this Area Limited by R DS(on) TJ, Case Temperature (°C) 5 10 15 20 25 25 50 75 100 125 150 0 TJ, Junction Temperature (°C) - 60 0 160 - 40 - 20 20 40 60 80 100 120 140 650 675 700 725 750 775 800 825 850 ID = 10 mA www.VBsemi.tw E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 SIHP12N65E 4 |
Numéro de pièce similaire - SIHP12N65E |
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Description similaire - SIHP12N65E |
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