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SI7390DP-T1 Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI7390DP-T1 Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 5 page Document Number: 72214 S-51773-Rev. C, 31-Oct-05 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si7390DP New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge Source-Drain Diode Forward Voltage 0.000 0.006 0.012 0.018 0.024 0.030 0 1020304050 ID - Drain Current (A) VGS = 10 V VGS = 4.5 V 0 1 2 3 4 5 6 0369 12 15 VDS = 15 V ID = 12.5 A Qg - Total Gate Charge (nC) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ = 25˚C 50 10 0.1 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 1 TJ = 150˚C Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage 0 300 600 900 1200 1500 1800 0 6 12 18 24 30 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Crss Coss Ciss 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 VGS = 10 V ID = 12.5 A TJ - Junction Temperature (˚C) 0.000 0.008 0.016 0.024 0.032 0.040 02468 10 ID = 12.5 A VGS - Gate-to-Source Voltage (V) |
Numéro de pièce similaire - SI7390DP-T1 |
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Description similaire - SI7390DP-T1 |
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